特許

J-GLOBAL ID：200903021181340846

ポリシリコン線上のシリサイドの形成方法

発明者： アジット ピー.パランジプ ,  プシュカー ピー.アプテ ,  メールダッド エム.モスレヒ
出願人/特許権者： テキサス インスツルメンツ インコーポレイテツド
代理人 (1件)： 浅村 皓 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-138640
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330253
出願日： 1996年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：

【要約】【課題】 ポリシリコン線上に生成されたシリサイドの面積抵抗を減少させるために有効なシリサイドの形成方法を提供する。【解決手段】 ポリシリコン線上にチタン層20を堆積し、チタン層20をポリシリコン線と反応させ、チタン・シリサイド32と窒化チタン34とを形成する。窒化チタン34を除去し、アニールに先立つ非晶質化のためのイオン注入を行うことにより、シリサイド32の、比較的高い抵抗率相から比較的低い抵抗率相へ相変換する部分を増加させる。このときヒ素、アンチモン又はゲルマニウムのような重い注入物質40を上記注入に用いる。上記注入の後、シリサイド32のアニールを行い、上記相変換を完了する。

請求項（抜粋）：

ポリシリコン線に対するシリサイドの形成方法であって、半導体本体であって、該半導体本体上にポリシリコン線が形成され、かつ、前記半導体本体内にソース/ドレインの領域が形成された前記半導体本体を用意する段階と、前記ポリシリコン線上にチタン層を堆積する段階と、前記チタン層を前記ポリシリコン線と反応させてシリサイド層を生成する段階と、前記反応段階の後、前記シリサイド層の内部に、アニールに先立つ非晶質化のためのイオン注入を行う段階と、前記、アニールに先立つ非晶質化のためのイオン注入の段階の後、600°Cを超過する温度において前記シリサイド層をアニールする段階とを包含することを特徴とする、ポリシリコン線に対するシリサイドの形成方法。

IPC (5件)：

H01L 21/28 301 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/265 ,  H01L 29/78 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 21/28 301 D ,  H01L 21/28 301 T ,  H01L 21/265 Q ,  H01L 29/78 301 Y