特許
J-GLOBAL ID：200903021185182684
半導体装置およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-092351
公開番号（公開出願番号）：特開平7-302896
出願日： 1994年04月28日
公開日（公表日）： 1995年11月14日
要約：
【要約】【目的】 耐圧特性および素子特性が良好であり、高いスループットで製造できる半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板の表面に凹部を形成し、ここから不純物をドープして輪郭形状に丸味を帯びた半導体層を形成する。凹部はマスクを介して湿式エッチングより形成し、輪郭形状が回転楕円体の一部分で表される凹部とし、これから不純物をドープすることによって輪郭形状に丸味を有する半導体層が形成される。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に形成された凹部表面に不純物を選択的にドープすることによって、断面が丸味を帯びた輪郭形状を持つように形成された半導体領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/74
, H01L 21/22
, H01L 21/306
, H01L 29/06
H01L 29/74 B
, H01L 21/306 B
, H01L 29/74 G
