特許
J-GLOBAL ID：200903021185717820
固体撮像装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-051098
公開番号（公開出願番号）：特開平8-250696
出願日： 1995年03月10日
公開日（公表日）： 1996年09月27日
要約：
【要約】【目的】本発明は、残像が非常に少ない積層型固体撮像装置およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板上に形成され、光電変換により生成された電荷を蓄積・転送する電荷転送領域と、前記電荷転送領域上に積層され、入射した光から光電変換により電荷を生成する電荷発生領域とを具備し、前記電荷発生領域は、前記電荷転送領域上に順次形成された正電極、正孔注入阻止層、感光層、電子注入阻止層、および負電極で構成されており、前記感光層と前記正電極との間の領域内に正孔注入阻止層および感光層よりもバンドギャップの大きいワイドバンドギャップ層が設けられていることを特徴としている。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に形成され、光電変換により生成された電荷を蓄積・転送する電荷転送領域と、前記電荷転送領域上に積層され、入射した光から光電変換により電荷を生成する電荷発生領域とを具備し、前記電荷発生領域は、前記電荷転送領域上に順次形成された正電極、正孔注入阻止層、感光層、電子注入阻止層、および負電極で構成されており、前記感光層と前記正電極との間の領域内に前記正孔注入阻止層と、前記感光層よりもバンドギャップの大きいワイドバンドギャップ層とが設けられていることを特徴とする固体撮像装置。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 27/14 E
, H01L 31/10 A
