特許
J-GLOBAL ID：200903021187488926
外部接続用突起電極及びその形成方法
発明者：
,
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
柏谷 昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-012253
公開番号（公開出願番号）：特開平8-203907
出願日： 1995年01月30日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 外部接続用突起電極及びその形成方法に関し、バンプ用電極層或いはパッド電極層等の突起電極形成用導電層の下地層となる無電解メッキ層を含む下地の導電層を一連の連続した工程によって形成する。【構成】 シリコン半導体基板にアルミニウム層を形成する第1工程、レジスト層を塗布・パターニングする第2工程、アルミニウム層の陽極酸化により多数のポアを有するアルミナ皮膜を形成する工程-ポア内への良導電体の析出工程-無電解メッキ工程-電解Au(Pb-Sn)メッキ工程からなる一連の連続した第3工程、レジスト層を除去する第4の工程、及び、アルミニウム層をエッチングする第5工程によって外部接続用突起電極を形成する。
請求項（抜粋）：
基板上に設けた配線層の外部電極との接続部分に設けた多数のポアを有するアルミナ皮膜、前記ポア内に埋め込んだ良導電体、前記良導電体上に設けた下地導電層、及び、前記下地導電層上に設けた突起電極形成用導電層によって突起電極を構成したことを特徴とする外部接続用突起電極。
FI (3件)：
H01L 21/92 602 Z
, H01L 21/92 602 H
, H01L 21/92 604 M
