特許

J-GLOBAL ID：200903021200635933

半導体メモリ装置及びその製造方法

発明者： 石原 博 ,  石原 数也 ,  崎山 恵三
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 野河 信太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-004078
公開番号（公開出願番号）：特開平5-190787
出願日： 1992年01月13日
公開日（公表日）： 1993年07月30日
要約：

【要約】【目的】 RAMと同一構造のセルを用いてROMを形成でき、1つの半導体基板に、RAMとROMとを簡易な工程で集積することのできる半導体メモリ装置及びその製造方法を提供する。【構成】 1つの半導体装置に、高誘電率の誘電体を用いた高容量キャパシタがセレクトトランジスタと共にビット線にワード線で接続された第1セルの複数と、低誘電率の誘電体を用いた常時オフ状態にしうる低容量キャパシタがセレクトトランジスタと共にビット線とワード線で接続された第2セルの複数とが所定パターンに配置され、第1セルのみからなる領域のRAM並びに第1及び第2セルからなるROMとが構成されてなる半導体メモリ装置及びその製造方法。

請求項（抜粋）：

1つの半導体基板に、高誘電率の誘電体を用いた高容量キャパシタがセレクトトランジスタと共にビット線とワード線で接続された第1セルの複数と、低誘電率の誘電体を用いた常時オフ状態にしうる低容量キャパシタがセレクトトランジスタと共にビット線とワード線で接続された第2セルの複数とが所定パターンに配置され、第1セルのみからなる領域のRAM並びに第1及び第2セルからなるROMとが構成されてなる半導体メモリ装置。

IPC (3件)：

H01L 27/10 421 ,  H01L 27/108 ,  H01L 27/11

FI (2件)：

H01L 27/10 325 Z ,  H01L 27/10 381

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 特開平3-288718