特許

J-GLOBAL ID：200903021207800557

抵抗変化素子および製造方法

発明者： 宮本 明人 ,  森本 廉 ,  田中 英行
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 岩橋 文雄 ,  坂口 智康 ,  内藤 浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-028014
公開番号（公開出願番号）：特開2004-241535
出願日： 2003年02月05日
公開日（公表日）： 2004年08月26日
要約：

【課題】本発明は相変化材料を記録層に用いる抵抗変化素子の特性ばらつきを抑制し、信頼性に優れた抵抗変化素子および製造方法を提供する。【解決手段】基板1上に第1電極3とその上部にコンタクトホール5が形成された誘電体層4および記録層7が設けられ、第2電極8で記録層7が挟持され、第1電極3および第2電極8との間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層7を備えた抵抗変化素子において、誘電体層4と記録層7の間に記録層の密着層6を設けた。この密着層6は、2族-6族半導体(例えばZnS)から形成され、SiO2を含んでいることが好ましい。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に第1の電極とその上部にコンタクトホールが形成された誘電体層および記録層が設けられ、第2の電極で記録層が挟持され、前記第1の電極および第2の電極間に電気的パルスを印加することにより抵抗値が変化する記録層を備えた抵抗変化素子であって、前記誘電体層と記録層の間に記録層の密着層を設けることを特徴とする抵抗変化素子。

IPC (2件)：

H01L45/00 ,  H01L27/10

FI (3件)：

H01L45/00 A ,  H01L45/00 C ,  H01L27/10 451

Fターム (4件)：

5F083FZ10 ,  5F083JA38 ,  5F083JA39 ,  5F083PR22