不揮発性半導体メモリの制御方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：外川英明
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-214561
公開番号（公開出願番号）：特開平10-124384
出願日： 1997年08月08日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：

【要約】【課題】セルアレイが複数個の物理ブロックに分割され、各々の物理ブロックにシステムが管理する論理ブロックとの対応付けの情報を記憶メモリシステムにおいて、論理ブロックと物理ブロックとの対応関係を管理するためのテーブルに要するRAM領域の削減を目的とする。また、データ更新および消去後の書込みの高速化を目的とする。【解決手段】論理ブロック/物理ブロック変換テーブルにおいて、1個の論理ブロックに対して、複数個の物理ブロックを含んだエリアを割り振り、メモリアクセス時には、そのエリア中の複数個のブロックの記憶情報をサーチし、該エリア中から真の対応ブロックを選択することを特徴とするメモリシステムの制御方法を提供する。また、物理ブロック上でクラスタの区切れがブロックの区切れをまたがない制御方法を提供する。また、消去時に管理領域を開放すると同時にデータ領域の消去を行う制御方法を提供する。

請求項（抜粋）：

システムが管理する論理ブロックと、複数のメモリセルにより構成され、前記論理ブロックに対応するデータを記憶する物理ブロックと、前記物理ブロック中に含まれ、前記対応する論理ブロックのアドレスを記憶する冗長部と、前記物理ブロックが少なくとも2以上で構成される物理ブロックエリアとを具備し、前記論理ブロックと前記物理ブロックエリアとの対応関係を管理するための論理番地/物理番地変換テーブルを作成することを特徴とするメモリシステムの制御方法。

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