特許

J-GLOBAL ID：200903021210080859

真空蒸着方法及び真空蒸着装置

発明者： 播磨 龍哉
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-002858
公開番号（公開出願番号）：特開2002-212706
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2002年07月31日
要約：

【要約】【課題】 低価格にて、高品質な金属薄膜を形成することと同時に、真空蒸着装置に与える熱ダメージを低減する。【解決手段】 真空室内で、るつぼ4内に収容された原料を加熱手段6により溶融させ、蒸発させることによって基体2上に被膜を形成する真空蒸着方法において、原料供給部8において複数の略棒状の原料7を連結しながらるつぼ4方向へ順次送り出すとともに、加熱手段6によりるつぼ4方向から順次加熱・溶融し、るつぼ4へ溶融状態の原料を供給する。

請求項（抜粋）：

真空室内で、るつぼ内に収容された原料を加熱手段により溶融させ、蒸発させることによって基体上に被膜を形成する真空蒸着方法において、原料供給部において複数の略棒状の原料を連結しながらるつぼ方向へ順次送り出すとともに、加熱手段によりるつぼ方向から順次加熱・溶融し、るつぼへ溶融状態の原料を供給することを特徴とする真空蒸着方法。

IPC (2件)：

C23C 14/24 ,  G11B 5/85

FI (2件)：

C23C 14/24 D ,  G11B 5/85 A

Fターム (13件)：

4K029AA11 ,  4K029AA25 ,  4K029BA24 ,  4K029BA26 ,  4K029BC06 ,  4K029BD11 ,  4K029CA01 ,  4K029DB08 ,  4K029DB15 ,  5D112AA05 ,  5D112FA02 ,  5D112FB02 ,  5D112FB23