特許

J-GLOBAL ID：200903021225952631

キャパシタ並びにこのキャパシタを用いた半導体装置及びその製造方法

発明者： 相原 一洋 ,  土本 淳一 ,  稲葉 豊 ,  若尾 和年
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 児玉 俊英
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-372048
公開番号（公開出願番号）：特開2001-189436
出願日： 1999年12月28日
公開日（公表日）： 2001年07月10日
要約：

【要約】【課題】 キャパシタの誘電体膜のリーク電流密度を大きくせずに誘電率を増加させることができ、また、蓄積電荷が減少するのを効果的に防止することができるキャパシタ並びにそのキャパシタを用いたダイナミック型半導体記憶装置などの半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】 この発明のキャパシタは、金属からなる第1の電極14と、第1の電極14上に順次形成されたBST膜15bおよびTa2O515aを有する誘電体膜15と、誘電体膜15上に形成された導電体からなる第2の電極16とを備えたものであり、このキャパシタを半導体装置に用いることによって、リーク電流密度を増加させずに、キャパシタ容量を大きくできる。

請求項（抜粋）：

金属からなる第1の電極と、この第1の電極上に順次形成されたBST膜およびTa2O5膜を有する誘電体膜と、この誘電体膜上に形成された導電体からなる第2の電極とを備えたことを特徴とするキャパシタ。

IPC (2件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242

FI (2件)：

H01L 27/10 651 ,  H01L 27/10 621 Z

Fターム (14件)：

5F083AD21 ,  5F083AD60 ,  5F083GA06 ,  5F083JA06 ,  5F083JA13 ,  5F083JA14 ,  5F083JA17 ,  5F083JA35 ,  5F083JA38 ,  5F083JA40 ,  5F083MA06 ,  5F083MA20 ,  5F083PR21 ,  5F083PR33