特許
J-GLOBAL ID：200903021226609213
半導体装置および半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-228872
公開番号（公開出願番号）：特開2002-043573
出願日： 2000年07月28日
公開日（公表日）： 2002年02月08日
要約：
【要約】【課題】 半導体装置においてキャリアの注入効率を高め性能を向上する。【解決手段】 p型高濃度半導体領域10とn型高濃度バッファ領域12との接面が凹凸状になるように形成する。これにより、p型高濃度半導体領域10とn型高濃度バッファ領域12との接面の面積を大きくすることができる。この結果、p型高濃度半導体領域10からn型低濃度ドリフト領域14への正孔の注入効率が高くなり、十分な伝導度変調の効果を得ることができ、IGBTのオン抵抗を低くすることができる。
請求項（抜粋）：
トレンチに形成されたゲート電極により形成されるチャネルからキャリアが注入される一導電型の半導体材料からなる一導電型半導体領域と、該一導電型半導体領域と接するように形成された他導電型の半導体材料からなる他導電型半導体領域とを備えるトレンチゲート型の半導体装置であって、前記一導電型半導体領域と前記他導電型半導体領域との接面を、凹凸状に形成してなる半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 655
, H01L 29/78 653
, H01L 29/744
H01L 29/78 655 B
, H01L 29/78 653 A
, H01L 29/74 C
