特許

J-GLOBAL ID：200903021227289506

ポルフィリン薄膜の製造方法

発明者： 野中 敏央 ,  高萩 隆行 ,  石谷 炯
出願人/特許権者： 新技術事業団 ,  株式会社東レリサーチセンター
代理人 (1件)： 小野 由己男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-308513
公開番号（公開出願番号）：特開平6-154590
出願日： 1992年11月18日
公開日（公表日）： 1994年06月03日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 優れた表面精度が長期間持続し得るポルフィリン薄膜を製造する。【構成】 ポルフィリン薄膜の製造方法は、ポルフィリン誘導体分子を加熱蒸発させかつ1×10-7Torr未満の超高真空下で分子線として飛行させて基板上に堆積させ、これにX線を照射する工程を含んでいる。【効果】 上記の方法により基板上に形成されたポルフィリン薄膜は、太陽電池、光導電素子、溶液中の微量金属元素センサー素子等として使用できる。

請求項（抜粋）：

ポルフィリン誘導体分子を加熱蒸発させかつ1×10-7Torr未満の超高真空下で分子線として飛行させて基板上に堆積させる工程と、前記基板上に堆積した前記ポルフィリン誘導体分子にX線を照射する工程と、を含むポルフィリン薄膜の製造方法。

IPC (3件)：

B01J 19/00 ,  H01L 31/04 ,  H01L 31/08

FI (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 31/08

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-274258
  
• 特開昭63-033557
  
• 特開平3-274258
  
• 特開昭63-033557