特許
J-GLOBAL ID：200903021228163646
半導体記憶装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
早瀬 憲一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-192613
公開番号（公開出願番号）：特開平5-012861
出願日： 1991年07月04日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：
【要約】【目的】 イニシャルポーズ期間内に/RASダミーサイクルが入った場合の誤動作をなくす。【構成】 外部信号により制御され電源投入信号を受けて内部回路にリセット信号を送るPOR回路1のイニシャルポーズ期間を計時するタイマ4と、このタイマの出力信号及び/RASダミーサイクルカウンタ2の出力信号を受け、その論理和をPOR回路1に送る論理回路5を設け、イニシャルポーズ期間内に/RASダミーサイクルが入った場合に、内部定電圧発生回路を積極的に動かす。
請求項（抜粋）：
外部信号により制御され、電源の投入を受けて、半導体記憶装置の内部回路にリセット信号を送るパワーオンリセット回路を備えた半導体記憶装置において、上記パワーオンリセット回路のイニシャルポーズ期間を計時するタイマと、上記外部信号に代えて、上記タイマの出力信号及び上記外部信号の論理出力を上記パワーオンリセット回路に制御信号として送る論理回路とを備えたことを特徴とする半導体記憶装置。
引用特許：
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