特許
J-GLOBAL ID:200903021231528132
縦型ホール素子
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件):
恩田 博宣
, 恩田 誠
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-204585
公開番号(公開出願番号):特開2006-032396
出願日: 2004年07月12日
公開日(公表日): 2006年02月02日
要約:
【課題】当該ホール素子を含めたその周辺の電位を固定して、より高い精度での磁気検出を可能とする縦型ホール素子を提供する。【解決手段】導電型不純物の添加された(ドーピングされた)多結晶シリコンからなる導電性膜材CTを当該ホール素子の半導体基板の内部に形成し、該導電性膜材CTとコンタクトを形成する配線を介して、同基板をグランド電位に固定する。またここでは、導電性膜材CTを、同基板に形成されたトレンチT1の内部に絶縁膜IL1を介して埋設するようにして、これにより、当該半導体基板の内部に磁気検出部HP1を区画形成するようにしている。【選択図】 図1
請求項(抜粋):
半導体基板の表面に垂直な成分を含む電流が、同半導体基板内の磁気検出部に供給されるとともに、その電流に対して発生するホール電圧を通じて前記半導体基板の表面に水平な磁界成分を検出する縦型ホール素子において、
前記半導体基板が、その内部に一乃至複数の導電層を有して且つ、当該導電層とコンタクトを形成する配線を介して任意の電位に固定されるようにした
ことを特徴とする縦型ホール素子。
IPC (2件):
FI (2件):
H01L43/06 Z
, G01R33/06 H
Fターム (2件):
引用特許:
出願人引用 (1件)
審査官引用 (11件)
-
特表昭62-502927
-
特表昭62-502927
-
トレンチ分離構造を有する半導体装置およびその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-043916
出願人:三菱電機株式会社
-
特開平4-225260
-
特開昭60-187072
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平7-006340
出願人:株式会社東芝
-
特表昭62-502927
-
特開昭60-187072
-
特開平4-225260
-
ホール素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-244343
出願人:株式会社東芝
-
ホール素子
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-038667
出願人:株式会社東芝
全件表示
前のページに戻る