特許
J-GLOBAL ID：200903021232164550
ガスセンサ用ジルコニア基焼結体及びその製造方法、電気抵抗の調整方法並びにガスセンサ素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小島 清路
, 谷口 直也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-078599
公開番号（公開出願番号）：特開2004-003998
出願日： 2003年03月20日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：
【課題】ガスセンサ用ジルコニア基焼結体及びその製造方法、電気抵抗の調整方法並びにガスセンサ素子を提供する。【解決手段】本発明のガスセンサ用ジルコニア基焼結体は、安定化又は部分安定化ジルコニア(Y2O3、Sc2O3等により安定化又は部分安定化されている。)を主体とし、Zr、Al及びSiを含有し、これらを酸化物換算した合計量を100質量%とした場合に、Zrは39.5質量%以上、100質量%未満、Alは60質量%以下及びSiは0.5質量%以下(好ましくは0.01〜0.1質量%)であり、該Siの含有量により電気抵抗が調整されている。また、安定化又は部分安定化ジルコニアが連続相を形成し、Alの酸化物が分散相を形成することにより、Alの酸化物が多くても固体電解質体として機能する焼結体とすることができる。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
Zr原料、Al原料及びSi原料を含有する原料混合物を用いて得られる安定化又は部分安定化ジルコニアを主体とするガスセンサ用ジルコニア基焼結体の電気抵抗の調整方法であって、原料混合物に含まれる全Si量と、ガスセンサ用ジルコニア基焼結体の電気抵抗との相関により、所定の電気抵抗を有するガスセンサ用ジルコニア基焼結体とするために必要な全Si量を求め、上記ガスセンサ用ジルコニア基焼結体の製造時に、該全Si量から上記原料混合物に不純物として含まれるSi量を差し引いたSi量を、上記Si原料として配合することを特徴とするガスセンサ用ジルコニア基焼結体の電気抵抗の調整方法。
IPC (3件)：
G01N27/409
, C04B35/48
, H01B1/06
G01N27/58 B
, C04B35/48 B
, H01B1/06 A
, G01N27/58 A
2G004BB04
, 2G004BD04
, 2G004BE04
, 2G004BE13
, 2G004BE22
, 2G004BE24
, 2G004BE26
, 2G004BJ03
, 2G004BL19
, 2G004BM07
, 4G031AA08
, 4G031AA12
, 4G031AA29
, 4G031AA30
, 4G031BA02
, 4G031BA03
, 4G031BA07
, 4G031GA03
, 4G031GA05
, 4G031GA11
, 5G301CA02
, 5G301CA12
, 5G301CA28
, 5G301CD01
, 5G301CD10
