特許
J-GLOBAL ID：200903021233321071
縦型半導体装置の特性測定方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-058204
公開番号（公開出願番号）：特開平7-245401
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月19日
要約：
【要約】【目的】縦型トランジスタの動作特性をウエハの状態で正確に測定すること。【構成】縦型DMOSトランジスタ1はシリコンウエハ2上に形成され、ドレイン電極3、ソースボンディングパッド(ソース電極)4、ゲートボンディングパッド(ゲート電極)5、ドレイン電極3と等電位であるドレインセンシングパッド(検出電極)6を有する。定電流源19にはドレイン電極と面接触させるためのフォーシングステージ22A及びソース電極4の電圧を検出するソースフォーシング端子22Bが、電圧計21にはドレインセンシング端子23A及びソースセンシング端子23Bが接続されている。ゲート信号用定電圧源20には、ソース基準電位としてゲートに定電圧信号を印加するため、電源20の基準側は、ソースのフォーシング及びセンシング線に、反対側はゲート電極5をプロービングするため、ゲートフォーシング端子24及びセンシング端子25に電気的に接続される。
請求項（抜粋）：
表面にゲート電極及びソース電極、裏面にドレイン電極を有する縦型トランジスタの特性を測定する方法において、前記縦型トランジスタのパターンが各チップに形成され、各チップ共通にドレイン電極が形成されたウエハにおいて、ウエハ表面の各チップに、ドレインに接続される検出電極を形成し、前記チップの前記ゲート電極と前記ソース電極間に所定の制御電圧を印加し、前記ソース電極と前記ドレイン電極間に定電流を流し、前記チップの前記ソース電極と前記検出電極間のソース検出電極間電圧を測定し、前記定電流と前記ソース検出電極間電圧とから前記各チップの前記縦型トランジスタの特性をウエハの状態で測定することを特徴とする縦型トランジスタの特性測定方法。
IPC (3件)：
H01L 29/78
, G01R 1/06
, H01L 21/66
