特許
J-GLOBAL ID：200903021235613150
単結晶製造装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松澤 統
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-061980
公開番号（公開出願番号）：特開平11-240790
出願日： 1998年02月27日
公開日（公表日）： 1999年09月07日
要約：
【要約】【課題】 CZ法による単結晶の製造において、固液界面近傍における単結晶の温度勾配を大きくして従来よりも高速の引き上げを可能とし、grown-in欠陥密度は従来と同程度に抑えられる単結晶製造装置を提供する。【解決手段】 単結晶製造装置に設ける熱遮蔽板(1)は、単結晶(2)に平行な円筒部(1a)と、この円筒部の下方に接続され、融液面(3a)に近づくに従って縮径されたテーパ部(1b)とを内面側に備え、外面側は融液面(3a)に向かって垂下する円筒部(1c)を備え、前記内面側と外面側とに挟まれた内部空間に断熱材(4)を充填する。前記熱遮蔽板(1)の内面側は、単結晶(2)の軸方向温度がgrown-in欠陥形成温度領域となる部分を円筒部(1a)とする。
請求項（抜粋）：
引き上げ中の単結晶(2) を取り巻く熱遮蔽板(1) であって、前記単結晶(2) と対向する内面側は、単結晶(2) に平行な少なくとも1箇所以上の円筒部(1a)と、この円筒部(1a)の下方に接続され、融液面(3a)に近づくに従って縮径されたテーパ部(1b)とを備え、外面側は、環状リム(8) の内縁から融液面(3a)に向かって垂下する円筒部(1c)を備え、前記内面側と外面側とに挟まれた内部空間に断熱材(4) を充填した熱遮蔽板(1) を設けたことを特徴とする単結晶製造装置。
引用特許：
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