特許

J-GLOBAL ID：200903021241517317

半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器

発明者： 上林 葉月
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 井上 一 ,  布施 行夫 ,  大渕 美千栄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-216661
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063569
出願日： 2002年07月25日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】実装性に優れた半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器を提供することにある【解決手段】半導体装置の製造方法は、配線パターン12を有する基板10に電極22を有する半導体チップ20を搭載し、電極22と配線パターン12とを電気的に接続する導電層50を、半導体チップ20の側面を通るように形成することを含む。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

配線パターンを有する基板に電極を有する半導体チップを搭載し、前記電極と前記配線パターンとを電気的に接続する導電層を、前記半導体チップの側面を通るように形成することを含む半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L25/065 ,  H01L21/60 ,  H01L23/52 ,  H01L25/07 ,  H01L25/18

FI (3件)：

H01L25/08 Z ,  H01L21/60 321E ,  H01L23/52 C

Fターム (1件)：

5F044RR03

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-350951
  
• 特開昭61-113252
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-180775   出願人：株式会社東芝