特許
J-GLOBAL ID：200903021243856941
半導体薄膜の作成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
若林 忠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-006907
公開番号（公開出願番号）：特開平6-216043
出願日： 1993年01月19日
公開日（公表日）： 1994年08月05日
要約：
【要約】【構成】 シリコンを含む原料ガスと、カーボン原料として炭化水素を導入し、分解反応させて単結晶シリコンカーバイト膜をエピタキシャル成長させる際に、3級又は4級の炭素を含む炭化水素を、単独又は混合してカーボン原料として添加することを特徴とする薄膜形成方法を提供する。【効果】 本発明方法によれば、低温で良好な結晶性をもった単結晶シリコンカーバイト膜が得られる。低温成長であるので、従来のような高温の雰囲気によって基板内のドーピングプロファイルが変質してしまうことが防げる。又、高温で堆積を行った後で基板を室温に戻す際に、基板材料とSiCの熱膨脹率の差によって、基板又はSiC膜内に生じる転移を減らすことができる。
請求項（抜粋）：
シリコンを含む原料ガスと、カーボン原料として炭化水素を導入し、分解反応させて単結晶シリコンカーバイト膜をエピタキシャル成長させる際に、以下に示す一般式(I)または(II)【化1】【化2】{式中R1 〜R4 は夫々アルキル基、アリル基または芳香族等の炭化水素}で表される3級または4級の炭素を含む炭化水素を、単独または混合しカーボン原料として添加することを特徴とする薄膜形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
