特許
J-GLOBAL ID：200903021245331226
チップ形バリスタおよびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
丸岡 政彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-103527
公開番号（公開出願番号）：特開平5-283210
出願日： 1992年03月30日
公開日（公表日）： 1993年10月29日
要約：
【要約】【目的】 絶縁塗料の流出を防止することにより、外装歩留およびこれに伴う電気的特性歩留の向上したチップ形バリスタおよびその製造方法の提供。【構成】 まず、ZnO、原子価制御剤および焼結助剤からなる粉体に、ポリビニルアルコールを加えて造粒したものを金型によって加圧成形し、脱バインダー後大気中において1200°Cで 2時間焼成する。次に、得られたチップ状セラミック1に外周研磨機によって溝3を形成し、その側面中央部に、セラミック1を周回する厚さ50μmの帯状にエポキシ系の絶縁塗料を塗布し、 200°Cで乾燥して絶縁塗料層2を形成する。次いで、チップ状セラミック1における一対の対向する端面に厚さ10μmのNi導電塗料層を形成し、外装材が塗布されていない部分に、ロッセル塩Cuを用いて 2〜 3μmのCuメッキ層を形成し、さらにその表面に 2〜 3μmのNiメッキ層と 1〜 2μmのSn/Pbメッキ層を形成する。
請求項（抜粋）：
チップ状のセラミック表面に、対向する一対の端面以外の側面中央部を通ってセラミックを周回する帯状の絶縁塗料層と、該絶縁塗料層形成部分以外を被覆するメッキ電極層とを有してなるチップタイプのセラミックバリスタであって、上記チップ状のセラミックにおける絶縁塗料層が形成される部分に、セラミックを周回する少なくとも1本の帯状の溝が形成されていることを特徴とするチップ形バリスタ。
IPC (2件)：
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