特許

J-GLOBAL ID：200903021248530220

検査装置、検査方法および半導体装置の製造方法

発明者： 棚橋 克人 ,  伊藤 誠吾 ,  渡辺 悟 ,  足立 和宏 ,  増田 崇
出願人/特許権者： 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 服部 毅巖
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-270811
公開番号（公開出願番号）：特開2009-099820
出願日： 2007年10月18日
公開日（公表日）： 2009年05月07日
要約：

【課題】半導体基板内に存在する欠陥を、容易に、効率よく、かつ、高感度に検出する。【解決手段】側面の一部に切欠を有する中空の保持部12に、搬送部によって半導体基板11が配置された搬送板に連接させたアーム部を下降させて、アーム部が保持部12の切欠を通過して、保持部12に半導体基板11を裏側から保持させる。そして、照射部13によって、半導体基板11の裏面に光13aが照射され、検出部17によって、半導体基板11の裏面から発せられる光13bが検出され、測定部によって光13bの強度が測定される。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

側面の一部に切欠を有する中空の保持部と、 半導体基板が配置された搬送板に連接させたアーム部を下降させて、前記アーム部が前記保持部の切欠を通過して、前記保持部に前記半導体基板を裏側から保持させる搬送部と、 前記保持部により裏側から保持された前記半導体基板の裏面に光を照射する照射部と、 前記光の照射により前記半導体基板の裏面から発せられる光を検出する検出部と、 前記検出部により検出された光の強度を測定する測定部と、 を有することを特徴とする検査装置。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01N 21/956 ,  G01N 21/64

FI (3件)：

H01L21/66 N ,  G01N21/956 A ,  G01N21/64 Z

Fターム (33件)：

2G043AA03 ,  2G043CA05 ,  2G043EA01 ,  2G043FA01 ,  2G043GA07 ,  2G043GB01 ,  2G043HA02 ,  2G043JA02 ,  2G043KA01 ,  2G043KA02 ,  2G043KA03 ,  2G043KA05 ,  2G043KA09 ,  2G043LA01 ,  2G043NA06 ,  2G051AA51 ,  2G051AB06 ,  2G051BA06 ,  2G051BA10 ,  2G051CB05 ,  2G051CB10 ,  2G051CC07 ,  2G051CC15 ,  2G051DA07 ,  4M106AA01 ,  4M106BA05 ,  4M106CA18 ,  4M106CB19 ,  4M106DH12 ,  4M106DH32 ,  4M106DJ02 ,  4M106DJ18 ,  4M106DJ21