特許

J-GLOBAL ID：200903021249048782

電子メモリデバイス用行復号回路および行復号段階を制御する方法

発明者： リノ・ミケローニ ,  ジョヴァンニ・カンパルド ,  ドナート・フェッラリオ ,  ステファノ・ゲッツィ
出願人/特許権者： エスティマイクロエレクトロニクス・ソチエタ・ア・レスポンサビリタ・リミタータ
代理人 (1件)： 曾我 道照 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-374358
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260083
出願日： 1998年12月28日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：

【要約】【課題】 電子メモリセルデバイス、特に低供給電圧の用途における行復号回路を得る。【解決手段】 上記行復号回路は、読み取られるメモリセルを含むメモリ列に印加される読み取り電圧を少なくとも1個のブーストコンデンサを介してブーストするように適応される。当該回路は、第1供給電圧基準と第2大地電位基準の間に電力供給され、階層構造のカスケード接続されたインバータと動的に読み取り電圧レベルを段階的に増大させる回路手段を備える。読み取り電圧レベルを供給電圧+しきい値電圧に等しい値に増大させる第1手段と、読み取り電圧レベルを供給電圧+2倍の前記しきい値電圧に等しい値に増大させる第2手段を提供する。

請求項（抜粋）：

読み取られるメモリセルを含むメモリ列に印加される読み取り電圧を第1ブーストコンデンサを介してブーストするために適応されるタイプの電子メモリセルデバイスのための行復号回路であって、前記回路が、供給電圧基準と大地電位基準の間に電力供給され、階層構造のカスケード接続インバータと、動的に読み取り電圧レベルを段階的に増大する回路手段とを備え、前記回路手段は、供給電圧+しきい値電圧と等しい値に読み取り電圧レベルを増大させる第1手段と、供給電圧+2倍の前記しきい値電圧に等しい値に読み取り電圧レベルを増大させる第2手段とを含む行復号回路。