特許

J-GLOBAL ID：200903021249948309

半導体集積回路

発明者： 竹中 博幸
出願人/特許権者： 株式会社東芝 ,  東芝マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-051710
公開番号（公開出願番号）：特開平6-266452
出願日： 1993年03月12日
公開日（公表日）： 1994年09月22日
要約：

【要約】【目的】内部電源電圧のレベル低下を防止することを目的とする。【構成】外部電源電圧VCCを受け内部電源電圧VDDを発生する電源降圧回路12と、内部電源電圧VDDのレベルを検知しこの検知結果に応じて上記電源降圧回路12の動作を制御する電圧比較回路13と、内部電源電圧VDDのレベルが低下した際に動作し、外部電源電圧VCCから内部電源電圧VDDを強制的に発生する内部電源補償回路15と、内部電源補償回路15を活性化制御する内部電源補償用活性化回路16とを具備したことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

外部電源電圧を受けこの電圧よりも低いレベルの内部電源電圧を発生する電源降圧手段と、上記内部電源電圧のレベルを検知しこの検知結果に応じて上記電源降圧手段の動作を制御する電源降圧制御手段と、上記内部電源電圧のレベルが低下した際に動作し、上記外部電源電圧から上記内部電源電圧を強制的に発生する内部電源補償手段とを具備したことを特徴とする半導体集積回路。

IPC (2件)：

G05F 1/56 320 ,  G11C 11/407

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平2-070264
  
• 半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-254442   出願人：日本電気アイシーマイコンシステム株式会社