特許

J-GLOBAL ID：200903021251651275

高密度配線パターンの露光方法

発明者： 椿原 正洋 ,  小山 亮平
出願人/特許権者： 旭化成工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-082077
公開番号（公開出願番号）：特開平6-295851
出願日： 1993年04月08日
公開日（公表日）： 1994年10月21日
要約：

【要約】【目的】 本発明の目的は、基板とマスクの間を真空にして密着露光する方法で、像のぽやけを起こさずにパターンの線幅が安定したプリント配線基板の製造方法を提供することにある。【構成】 本発明は、フォトレジストを塗布した基板とマスク間を、真空にして密着露光する露光方法において、マスクに穴を開けることにより基板とマスクの密着性を増し、パターンの解像度を上げることを特徴とするプリント配線基板の製造方法。【効果】 本発明によって得られたプリント配線板においては、大きな面積の密着露光においても、回路パターンの像のぼけと断線は共に発生せず、高密度配線のプリント配線基板の製造が可能となった。

請求項（抜粋）：

フォトレジストを塗布した基板とマスク間を、真空にして密着露光する露光方法において、マスクに穴を開けることにより基板とマスクの密着性を増し、パターンの解像度を上げることを特徴とする高密度配線パターンの露光方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/14 ,  G03F 7/20 ,  H05K 3/00