特許
J-GLOBAL ID：200903021256416150
シリコンと3族-5族半導体材料とを接合する方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
大貫 進介 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-129873
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349694
出願日： 1994年05月20日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：
【要約】【目的】 シリコンウェハと3族-5族半導体ウェハとが、3族-5族半導体ウェハ上に蒸着された接合内部層を介して互いに接合される。【構成】 シリコンウェハよりむしろ3族-5族半導体ウェハ上に接合内部層を形成することによって、接合プロセスが次のプロセスを実行するに十分な強度の接合を作ることが容易にできる。3族-5族半導体ウェハは接合処理の後にストレスを和らげるために薄くされる。接合されたウェハは接合強度を増加させるために第2接合処理を必要とする。接合されたウェハはそれから半導体デバイスの製造に使用される高温プロセスを必要とする。
請求項（抜粋）：
シリコンウェハ(10)と3族-5族半導体ウェハ(12)とを接合する方法であって:第1・第2主要面を有するシリコンウェハ(10)を用意する段階;第1・第2主要面を有する3族-5族半導体ウェハ(12)を用意する段階;前記3族-5族半導体ウェハ(12)の第1主要面上に接合中間層(15)を形成する段階;前記接合中間層(15)が前記3族-5族半導体ウェハ(12)と前記シリコンウェハ(10)の第一主要面との間に位置するように、第1熱又は熱アノード接合プロセスを使用して前記シリコンウェハ(10)と前記3族-5族半導体ウェハ(12)とを互いに接合する段階;前記3族-5族半導体ウェハ(12)の第2主要面から前記3族-5族半導体ウェハ(12)の一部を除去する段階;および前記3族-5族半導体ウェハ(12)の一部を除去する段階の後、前記3族-5族半導体ウェハ(12)および前記シリコンウェハ(10)に第2熱又は熱アノード接合プロセスを施こす段階;から構成されることを特徴とする接合方法。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/76
, H01L 27/12
