特許

J-GLOBAL ID：200903021264165680

チョクラルスキー法による結晶製造装置、結晶製造方法、およびこの方法から製造される結晶

発明者： 桜田 昌弘 ,  太田 友彦
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-050897
公開番号（公開出願番号）：特開平9-221379
出願日： 1996年02月14日
公開日（公表日）： 1997年08月26日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 単一の装置で、結晶の成長中あるいは成長させる結晶棒間で、結晶の熱履歴、炉内温度分布を自在に変更、制御することができる結晶製造装置および結晶製造方法を提供する。【解決手段】 原料を収容するルツボと、原料を加熱溶融するヒーターと、これらを囲繞するように配置される断熱筒とを具備するチョクラルスキー法による結晶製造装置において、前記断熱筒を昇降可能に構成した。そして、同一バッチ内で2本以上の結晶棒を引き上げる場合において、成長させる結晶棒間で昇降可能に構成された断熱筒を昇降させることによりその位置を変え、結晶棒間で異なった熱履歴で結晶を成長させる。さらに、チョクラルスキー法によって結晶を引き上げる場合において、結晶成長中に、断熱筒を昇降させながら結晶を引き上げる。

請求項（抜粋）：

原料を収容するルツボと、原料を加熱溶融するヒーターと、これらを囲繞するように配置される断熱筒とを具備するチョクラルスキー法による結晶製造装置であって、前記断熱筒が昇降可能に構成されている、ことを特徴とするチョクラルスキー法による結晶製造装置。

IPC (2件)：

C30B 15/00 ,  C30B 33/02

FI (2件)：

C30B 15/00 Z ,  C30B 33/02

引用特許：

審査官引用 (4件)

• シリコン単結晶の製造装置および製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-296109   出願人：コマツ電子金属株式会社
• 単結晶成長装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-220020   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開昭63-166795
  
• 特開平1-058987