特許

J-GLOBAL ID：200903021265987535

シリコンウェーハの製造方法およびシリコンウェーハ

発明者： 泉妻 宏治 ,  白井 宏 ,  茶木 勝弘 ,  鹿島 一日児 ,  桐野 好生
出願人/特許権者： 東芝セラミックス株式会社
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-229766
公開番号（公開出願番号）：特開平8-097222
出願日： 1994年09月26日
公開日（公表日）： 1996年04月12日
要約：

【要約】【目的】 比較的高い酸素濃度範囲のウェーハであっても、デバイス活性層はより無欠陥に、かつバルク部のBMDは低密度であるシリコンウェーハを提供する。【構成】 チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.5〜1.8×1018atoms/cm3 のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度を1100°C〜1300°C、熱処理時間を1分間〜48時間、熱処理過程中1000°Cから1300°Cの温度範囲内における昇温速度を15〜100°C/minの条件で熱処理を施す。

請求項（抜粋）：

チョクラルスキー法により製造された単結晶シリコンインゴットから製造された格子間酸素濃度[Oi]が1.5〜1.8×1018atoms/cm3 のシリコンウェーハを、不活性ガス雰囲気中で、熱処理温度を1100°C〜1300°C、熱処理時間を1分間〜48時間、熱処理過程中1000°Cから1300°Cの温度範囲内における昇温速度を15〜100°C/minの条件で熱処理を施すことによって、ウェーハ表面から少なくとも深さ10μm以上にわたって大きさが20nm以上のBMDが103 個/cm3 以下である無欠陥層を有し、ウェーハ内部バルク部の酸素析出物密度[BMD]が、[BMD]≧1×103 個/cm3 、かつ[BMD]≦exp{9.210×10-18 ×[Oi]+3.224}個/cm3 であるウェーハを製造することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/322 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/324