特許

J-GLOBAL ID：200903021266636957

半導体装置、配線基板およびこれらの製造方法

発明者： 吉田 隆幸 ,  藤本 博昭 ,  酒井 啓之
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社 ,  松下電子工業株式会社
代理人 (1件)： 宮井 暎夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-226470
公開番号（公開出願番号）：特開平9-074118
出願日： 1995年09月04日
公開日（公表日）： 1997年03月18日
要約：

【要約】【課題】バンプ部分のインダクタンスをできるだけ小さくでき、インピーダンスを一定に制御でき、インピーダンス不整合による誤動作の発生をなくし、かつ高周波で動作する高周波モジュールを安価で正確に特性を制御することができる半導体装置、配線基板およびこれらの製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置は、電極配線層4を形成した配線基板11と、電極配線層4上にバンプ6を介して接続した電極パッド8を有する複数の半導体素子7とを備え、バンプ6が電極配線層4よりも硬い材料により形成され、半導体素子7を加圧してバンプ6を電極配線層4に圧入している。

請求項（抜粋）：

電極配線層を形成した配線基板と、前記電極配線層上にバンプを介して接続した電極パッドを有する複数の半導体素子とを備え、前記バンプが前記電極配線層よりも硬い材料により形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60 321 ,  H01L 21/321

FI (3件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/60 321 X ,  H01L 21/92 603 A

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-359882
  
• 特開平4-116944
  
• 特開平3-184352