特許

J-GLOBAL ID：200903021268534841

CMOS型固体撮像素子

発明者： 長田 勝 ,  三沢 岳志
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (1件)： 小林 和憲
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-157169
公開番号（公開出願番号）：特開2004-363193
出願日： 2003年06月02日
公開日（公表日）： 2004年12月24日
要約：

【課題】省電力・小型・軽量化を実現させることができ、且つ信号の読み出し時間を短縮させることができるCMOS型固体撮像素子を提供する。【解決手段】CMOS型固体撮像素子2の画素12を、被写体光の低輝度域から中輝度域までの階調を表現する高感度信号Hを生成する主感光部12aと、この主感光部12aよりも相対的に小さい受光面積をもち、高輝度域の階調を表現する低感度信号Lを生成する副感光部12bとから構成する。制御回路20は、画素の単位領域40毎に、高感度信号Hで表される階調、輝度の平均値を算出して、算出した平均値と予め設定された閾値とを比較し、この比較結果に基づいて、単位領域40にある副感光部12bから信号電荷を出力するか否かを選択する。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

被写体の輝度に応じた量の信号電荷を蓄積する画素が一定のピッチで複数配列され、前記信号電荷を出力して撮像信号を生成するCMOS型固体撮像素子において、 前記被写体の低輝度域から中輝度域までの階調を表現する高感度信号を生成する主感光部と、 この主感光部よりも相対的に小さい受光面積をもち、高輝度域の階調を表現する低感度信号を生成する副感光部とから前記画素を構成するとともに、 前記主感光部および副感光部に蓄積された信号電荷を選択的に出力する出力手段を設けたことを特徴とするCMOS型固体撮像素子。

IPC (2件)：

H01L27/146 ,  H04N5/335

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 U

Fターム (18件)：

4M118AA02 ,  4M118AA10 ,  4M118AB01 ,  4M118BA10 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA20 ,  4M118CA22 ,  4M118DD12 ,  4M118FA06 ,  4M118FA33 ,  4M118GC08 ,  5C024AX01 ,  5C024CX43 ,  5C024CX46 ,  5C024GX01 ,  5C024GX14 ,  5C024GY31