特許
J-GLOBAL ID:200903021271045789
薄膜磁気ヘッドの浮上面加工方法及び薄膜磁気ヘッドの浮上面加工位置測定用加工検知素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
秋本 正実
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平7-054240
公開番号(公開出願番号):特開平8-249636
出願日: 1995年03月14日
公開日(公表日): 1996年09月27日
要約:
【要約】【目的】 薄膜磁気ヘッドの浮上面加工する場合、加工中の位置を高精度に測定するための加工検知素子と加工方法を提供する。【構成】 加工検知素子1は、複数の抵抗素子で構成される。各抵抗素子は、浮上面加工時に加工される可変抵抗と固定抵抗とを並列接続した構成を有している。また、抵抗素子は、浮上面加工の深さ方向に適当なピッチで配列されている。これにより、浮上面加工量が連続した抵抗変化として検出可能になる。さらに、加工開始前の初期抵抗と、全可変抵抗が切断した後の最終抵抗の値を用いて、浮上面加工深さの位置と加工検知素子の抵抗値の関係を求め、これを元に薄膜磁気ヘッドの高精度浮上面加工を行なう。
請求項(抜粋):
浮上面加工により加工されることない薄膜抵抗から形成される固定抵抗と浮上面加工の進行に応じて加工されて抵抗値の変化する薄膜抵抗から形成される可変抵抗とを並列に接続して抵抗素子を形成し、さらに、上記抵抗素子を構成する可変抵抗が浮上面加工の深さ方向に適当なピッチで配列されるように、上記抵抗素子を複数個直列に接続して加工検知素子を形成し、浮上面加工を行うことにより、加工検知素子における複数の可変抵抗の内の少なくとも1つの可変抵抗が同時に加工され、浮上面加工の進行に伴って連続的に変化する加工検知素子両端の抵抗を測定することにより、薄膜磁気ヘッドの浮上面加工の位置を測定することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの浮上面加工方法。
IPC (3件):
G11B 5/60
, G11B 5/31
, G11B 21/21 101
FI (3件):
G11B 5/60 C
, G11B 5/31 M
, G11B 21/21 101 L
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