特許
J-GLOBAL ID：200903021279314061
電子ビーム蒸着器
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-001529
公開番号（公開出願番号）：特開平7-211641
出願日： 1994年01月12日
公開日（公表日）： 1995年08月11日
要約：
【要約】【構成】 薄膜形成基板が主に基板面に対して平行方向に形成された磁場中に設置され、電子銃もしくはタ-ゲットから反射した電子が薄膜形成基板への入射が抑えられるように構成された電子ビ-ム蒸着器。【効果】 本発明で考案した電子ビ-ム蒸着器によれば、透明導電性薄膜/Ag積層膜を形成し、アモルファス太陽電池の裏面電極を形成することにより、従来最高の変換効率を有するアモルファス太陽電池が製作できる。
請求項（抜粋）：
薄膜形成基板が、主に該基板面に対して平行方向に形成された磁場中に設置されるように構成されてなる電子ビーム蒸着器。
IPC (4件)：
H01L 21/203
, C23C 14/24
, C23C 14/30
, H01L 31/04
