特許

J-GLOBAL ID：200903021280645578

薄膜トランジスタの製造方法

発明者： 河 炯讃 ,  崔 東圭
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-242992
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196702
出願日： 1993年09月29日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：

【要約】【目的】 チャンネルポリシリコン層内に、十分に水素を浸透させる薄膜トランジスタの製造方法を提供する。【構成】 まず、TFTのチャンネルポリシリコン層2の上部にSOG膜10をコーティングする。この後、SOG膜10にO2 プラズマ処理を施した後、大気中に露出させ、SOG膜内の水素含量を増加させる。そして、SOG膜10を一定温度で一定時間の間、熱処理を行い、SOG膜10内の水素をチャンネルポリシリコン層2へ浸透させる。

請求項（抜粋）：

薄膜トランジスタの製造方法において、ソース、ドレイン及びチャンネルを備えた薄膜トランジスタを形成し、この上部に層間絶縁膜を形成する工程と、前記薄膜トランジスタのソース、ドレイン及びゲート電極にそれぞれコンタクトする金属パターンを形成する工程と、前記薄膜トランジスタ上部に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜の上部に予定された厚さのSOG膜をコーティングする工程と、前記SOG膜をO2 プラズマに晒す工程と、前記SOG膜を大気中に露出し、前記SOG膜内の水素含量を増加させる工程と、前記SOG膜上部に保護膜を堆積する工程と、熱処理を行い、前記SOG膜内の水素を下部に有する薄膜トランジスタのチャンネルポリシリコン層に浸透させる工程とを含むことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (4件)：

H01L 29/784 ,  H01L 21/316 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336

FI (2件)：

H01L 29/78 311 N ,  H01L 29/78 311 Y