半導体光素子とその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：作田康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-067149
公開番号（公開出願番号）：特開2001-251007
出願日： 2000年03月07日
公開日（公表日）： 2001年09月14日
要約：

【要約】【課題】従来の製造工程に加えて合わせマークに対して絶縁膜などの保護膜を形成するプロセスを導入することでリソグラフィ工程における合わせずれを防止してフォト再生率を下げるとともに、リソグラフィ工程における合わせ精度を上げることを目的とする。さらなる目的は高歩留まりで設計仕様中心の半導体光素子を作製することまたその製造方法を提供する。【解決手段】図4Eに示すように合わせマーク部分を絶縁膜などの保護膜で保護することで、合わせマーク損傷の要因となる結晶成長(埋込み成長)やエッチングの影響を回避することができた。これによりフォト再生率を0%にするとともに、±0.5μmの合わせ精度を実現し、設計仕様中心の半導体光素子およびその製造方法を提供する。

請求項（抜粋）：

半導体結晶上にリソグラフィ用の合わせマークを形成するに際し、プロセス中の合わせマークの変形、損傷を防止するため、合わせマーク上に保護膜を形成することを特徴とする半導体光素子及びその製造方法。

IPC (5件)：

H01S 5/02 , H01L 21/205 , H01L 33/00 , H01S 5/227 , H01S 5/323

FI (5件)：

H01S 5/02 , H01L 21/205 , H01L 33/00 A , H01S 5/227 , H01S 5/323

Fターム (17件)：

5F041AA36 , 5F041CA61 , 5F041CA74 , 5F041CA77 , 5F041CB11 , 5F045AB09 , 5F045AB12 , 5F045AB33 , 5F045CA12 , 5F045DB02 , 5F073AA22 , 5F073AA89 , 5F073BA01 , 5F073CA12 , 5F073CB02 , 5F073DA22 , 5F073DA35

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