特許

J-GLOBAL ID：200903021281905840

透明導電膜及びその形成方法

発明者： 安藤 正彦 ,  鬼沢 賢一 ,  西村 悦子 ,  高畠 勝 ,  安生 健二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-200637
公開番号（公開出願番号）：特開平9-050712
出願日： 1995年08月07日
公開日（公表日）： 1997年02月18日
要約：

【要約】【構成】酸素欠乏したITOターゲット3、及び水蒸気と水素の混合ガスからなる雰囲気ガスを用いて、スパッタ法で非晶質ITO薄膜を形成する。【効果】膜中に存在する酸素に対する水素の比率が増加する結果、微結晶量が低減する。

請求項（抜粋）：

水素を含有する非晶質構造のIn-Sn-O系透明導電膜において、In及びSnに対するOの組成比が3/2よりも小さく、しかも、Oに対するHの組成比が0.01 以上であることを特徴とする透明導電膜。

IPC (5件)：

H01B 5/14 ,  C01G 15/00 ,  C23C 14/08 ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503

FI (5件)：

H01B 5/14 A ,  C01G 15/00 B ,  C23C 14/08 D ,  G02F 1/1343 ,  H01B 13/00 503 B