磁気抵抗効果素子及び磁気抵抗効果型ヘッド

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-171166
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352112
出願日： 2000年06月07日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】【課題】自由層5と酸化物層7との界面に酸素拡散防止層6を形成することにより、自由層の酸化を抑制して軟磁気特性とMR比を高め、自由層の軟磁気特性に優れた磁気抵抗効果素子および磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【解決手段】反強磁性層2、固定層3、非磁性層4、自由層5のいずれかの層中か、または反強磁性層、固定層、非磁性層、自由層のいずれかの界面に酸化物層7を形成し、かつ前記反強磁性層、固定層、非磁性層及び自由層から選ばれる少なくとも一つの層(以下「他層」という)と、前記酸化物層7との間に、前記他層の酸化を抑制する為の酸素拡散防止層6を形成する。酸素拡散防止層6は、Au,Pt,Ag,Ru,NiまたはNi<SB>1-x</SB>M<SB>x</SB>合金(ただし、MはFe,Co,Cr,Taのうち1種以上、0≦x<40、xは原子組成比)のいずれかを主成分とするのが好ましい。

請求項（抜粋）：

反強磁性層と、外部磁界により容易には磁化回転しない磁性層(固定層)と、非磁性層と、外部磁界により容易に磁化回転が可能な磁性層(自由層)が順次積層した多層膜であって、反強磁性層、固定層、非磁性層、自由層のいずれかの層中か、または、反強磁性層、固定層、非磁性層、自由層のいずれかの界面に酸化物層を形成し、かつ、前記反強磁性層、固定層、非磁性層及び自由層から選ばれる少なくとも一つの層(以下「他層」という)と、前記酸化物層との間に、前記他層の酸化を抑制する為の酸素拡散防止層を形成したことを特徴とする磁気抵抗効果素子。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/14 , H01F 10/20 , H01F 10/30 , H01F 10/32

FI (7件)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , H01F 10/14 , H01F 10/20 , H01F 10/30 , H01F 10/32 , G01R 33/06 R

Fターム (22件)：

2G017AA01 , 2G017AB05 , 2G017AD55 , 5D034BA05 , 5D034BA21 , 5D034BB08 , 5D034BB12 , 5D034DA07 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AA10 , 5E049AB02 , 5E049AB09 , 5E049AB10 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049BA16 , 5E049DB04 , 5E049DB12 , 5E049DB20

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