特許
J-GLOBAL ID:200903021286621417
半導体装置とその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
芝野 正雅
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-345627
公開番号(公開出願番号):特開2001-168126
出願日: 1999年12月06日
公開日(公表日): 2001年06月22日
要約:
【要約】【課題】 チップサイズパッケージの信頼性を向上させる。【解決手段】 Al電極1と接続され、チップ表面に延在するCuから成る配線層7と、当該配線層7上に位置するように樹脂層Rを介して前記配線層7上に形成されたメタルポスト8と、当該メタルポスト頭部を除く樹脂層R上に形成された感光性のブロック共重合ポリイミド層Pと、メタルポスト8上にPd9,Ni10,Au11を介して形成された半田ボール12とを具備する。
請求項(抜粋):
電極パッドと接続され、チップ表面に延在する配線層と、前記配線層上に位置するように樹脂層を介して前記配線層上に形成されたメタルポストと、前記メタルポスト頭部を除く樹脂層上に形成されたブロック共重合ポリイミド層と、メタルポスト上に形成された半田ボールとを具備することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 21/60
, H01L 21/3205
, H01L 23/12
FI (4件):
H01L 21/92 602 L
, H01L 21/88 T
, H01L 21/92 602 F
, H01L 23/12 L
Fターム (31件):
5F033HH07
, 5F033HH08
, 5F033HH11
, 5F033HH13
, 5F033JJ08
, 5F033JJ11
, 5F033JJ33
, 5F033KK01
, 5F033KK08
, 5F033KK33
, 5F033MM01
, 5F033MM05
, 5F033MM08
, 5F033NN03
, 5F033NN07
, 5F033PP15
, 5F033PP19
, 5F033PP27
, 5F033PP28
, 5F033QQ03
, 5F033QQ11
, 5F033QQ37
, 5F033QQ48
, 5F033RR04
, 5F033RR06
, 5F033RR22
, 5F033RR27
, 5F033SS15
, 5F033SS22
, 5F033TT01
, 5F033TT04
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