特許

J-GLOBAL ID：200903021287639484

窒化ガリウム系化合物半導体及びその製造方法

発明者： 小池 正好 ,  永井 誠二
出願人/特許権者： 豊田合成株式会社
代理人 (1件)： 藤谷 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-365725
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186178
出願日： 1997年12月22日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：

【要約】【課題】そりやクラックの発生を防止して、結晶性を向上させる。【解決手段】シリコン基板1の上にはSiO2の第1の層2が形成されている。層2は、成長領域Xと非成長領域Yとを有し、成長領域X、非成長領域Yは、ストライプ状、格子状に形成されている。長領域Xでは、基板1上の第1の層2を除いた露出領域B及び第1の層2の上にはGaN の第2の層3が形成されており、非成長領域Yでは、SiO2の第1の層2の上にはGaN から成る第2の層3は形成されていない。第2の層3が基板1の全面に連続して形成されるのではないために、シリコンとGaN との熱膨張係数が異なってもシリコン基板1がそることがく、第2の層3に応力歪みが発生することがなくクラックがはいらない。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に直接、又は、基板上に積層された層の上に、前記基板上に積層された層の露出部が散在するように、点状、ストライプ状又は格子状等の島状態に形成され、窒化ガリウム系化合物半導体がその上にエピタキシャル成長せず、横方向に成長する第1の層と、前記第1の層で覆われていない露出部を核として、エピタキシャル成長させた窒化ガリウム系化合物半導体から成る第2の層とを備え、前記第1の層は、前記第2の層が横方向に成長し、第1の層を覆うことが可能な微細パターンから成る成長領域と、この成長領域を区画し前記第2の層が第1の層を覆うことができない程に広い面積を有した非成長領域とから成ることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 ,  H01S 3/18

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/20 ,  H01L 33/00 C ,  H01S 3/18

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体基板の製造方法および発光素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-065141   出願人：三菱電線工業株式会社