特許
J-GLOBAL ID：200903021294116411
半導体記憶装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-110648
公開番号（公開出願番号）：特開平7-321209
出願日： 1994年05月25日
公開日（公表日）： 1995年12月08日
要約：
【要約】【目的】冗長用ヒューズを有する半導体記憶装置のヒューズの不良発生を防止する。【構成】シリコン基板1のヒューズ形成領域10の両側に、第1の導電層2と絶縁膜3と第2の導電層4とを形成する。次で全面に層間絶縁膜5を形成したのちヒューズ6を形成する。次で全面にリフローが可能なBPSG膜7を形成する。ヒューズ両側は、積層した導電層の膜厚分だけ全体の膜厚が厚くなっている為、熱処理を行うことによりヒューズ上のBPSG膜が厚くなる。次でパッシベーション膜8を形成したのち開口部9を形成する。
請求項（抜粋）：
冗長用回路に接続された冗長用ヒューズをレーザ切断方式で切断する半導体記憶装置において、前記冗長用ヒューズの両側に絶縁膜を介して積層された少くとも二つの導電層を設けると共に、前記冗長用ヒューズ上と前記導電層上に流動性を有する絶縁膜を設けたことを特徴とする半導体記憶装置。
IPC (2件)：
引用特許：
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