特許

J-GLOBAL ID：200903021303690592

有機金属気相成長装置

発明者： 今西 大介
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-224013
公開番号（公開出願番号）：特開平10-067594
出願日： 1996年08月26日
公開日（公表日）： 1998年03月10日
要約：

【要約】【課題】 固体有機金属原料の微粒子や霧が密閉槽の外部に出る前に捕集し、配管の汚損を防止する。【解決手段】 有機金属ガス供給源60を具備する有機金属気相成長装置において、有機金属ガス供給源60には、密閉槽10内に、気密的に分離された第1の領域1と、第2の領域2とが形成され、第1の領域1は、固体有機金属原料31の収容領域とし、第2の領域2は、第1の領域1から、吹き上げられた微粒子や霧の蓄積領域とする。

請求項（抜粋）：

有機金属ガス供給源を具備する有機金属気相成長装置において、上記有機金属ガス供給源は、密閉槽内に、気密的に分離された第1の領域と、第2の領域とが形成され、上記第1の領域が、固体有機金属原料の収容領域とされ、上記第2の領域が、上記第1の領域から、吹き上げられた微粒子や霧の蓄積領域とされた有機金属気相成長装置。

IPC (6件)：

C30B 25/14 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/44 ,  C30B 29/40 502 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (6件)：

C30B 25/14 ,  C23C 16/18 ,  C23C 16/44 C ,  C30B 29/40 502 K ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 A