特許

J-GLOBAL ID：200903021306792469

半導体集積回路装置及びその製造方法

発明者： 松本 隆
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 竹村 壽
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-192690
公開番号（公開出願番号）：特開平6-021365
出願日： 1992年06月29日
公開日（公表日）： 1994年01月28日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板のGND電位を取り易くし、半導体基板の抵抗が小さくチップ面積が十分縮小される半導体集積回路装置の構造およびその製造方法を提供する。【構成】 P型シリコン半導体基板1にP型高濃度不純物拡散領域2を形成し、この上にP型エピタキシャル成長層3及びN型エピタキシャル成長層4を順次成長させ、その表面からP型領域2に達するP型高濃度不純物拡散領域5を形成してこの表面にGND電位の電極8を取付ける。基板の抵抗が減少する。

請求項（抜粋）：

第1導電型シリコン半導体基板と、前記第1導電型シリコン半導体基板の表面領域に形成された第1の第1導電型高濃度不純物拡散領域と、前記第1の第1導電型高濃度不純物拡散領域上に形成された第1導電型シリコンエピタキシャル成長層と、前記第1導電型シリコンエピタキシャル成長層の上に形成された第2導電型シリコンエピタキシャル成長層と、前記第2導電型シリコンエピタキシャル成長層の所定の領域の表面から前記第1の第1導電型高濃度不純物拡散領域に達する第2の第1導電型高濃度不純物拡散領域と、前記第2の第1導電型高濃度不純物拡散領域の表面に形成された電極とを備えており、この電極をGND電位とすることを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (2件)：

H01L 27/082 ,  H01L 21/74

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平1-205564
  
• 特開平4-042959
  
• 特開平2-270333