特許

J-GLOBAL ID：200903021308656929

単結晶の製造方法

発明者： 佐藤 賢次 ,  関 洋二
出願人/特許権者： 株式会社ジャパンエナジー
代理人 (1件)： 藤吉 一夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-100859
公開番号（公開出願番号）：特開平10-287499
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年10月27日
要約：

【要約】【課題】 開管法により、単結晶を、他の元素を含む気体中で加熱を行い、単結晶の構成元素の少なくとも一つの構成元素を他の元素で置換することにより、元の単結晶の構成元素の少なくとも一つが異なる単結晶膜を前記単結晶表面に作製する方法において、平坦で良質な膜が得られる方法を提供する。【解決手段】 元の単結晶の置換される構成元素の蒸気圧を制御しながら、単結晶の表面が荒れを起こさない範囲で予め置換を行い表面キャップ層を形成した後、所定の温度に上昇させて単結晶膜を育成する。【効果】 平坦でかつ高品質なGaN単結晶膜を形成することができる。

請求項（抜粋）：

単結晶を、他の元素を含む気体中で加熱を行い、単結晶の構成元素の少なくとも一つの構成元素を他の元素で置換することにより、元の単結晶の構成元素の少なくとも一つが異なる単結晶膜を前記単結晶表面に作製する方法において、元の単結晶の置換される構成元素の蒸気圧を制御しながら、所定の温度に上昇させて単結晶膜を育成することを特徴とする単結晶の製造方法。

IPC (3件)：

C30B 29/38 ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/205

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 29/38 C ,  C30B 29/42 ,  H01L 21/205