特許
J-GLOBAL ID：200903021311439343

有機薄膜トランジスタ

発明者：
平井 桂

平井 桂 について


出願人/特許権者：
コニカミノルタホールディングス株式会社

コニカミノルタホールディングス株式会社 について


公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-146036
公開番号（公開出願番号）：特開2003-338629
出願日： 2002年05月21日
公開日（公表日）： 2003年11月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 デバイスが用いられる環境下において安定して作動する有機薄膜トランジスタを提供する。【解決手段】 支持体1上に形成されたゲート電極2,ゲート電極を覆うゲート絶縁層3,ソース電極4,ドレイン電極5およびゲート絶縁膜上に形成された有機半導体層6を有する有機薄膜トランジスタにおいて,エチレン-ビニルアルコール共重合体からなる封止膜7により,少なくとも前記有機半導体層を封止する。【効果】高湿下でリーク電流が低いとともにON/OFF比が高い良好なスイッチング特性を有する有機薄膜トランジスタが実現される。
請求項（抜粋）：
支持体上に形成されたゲート電極、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極及び有機半導体層を有する有機薄膜トランジスタにおいて、実質的にエチレン-ビニルアルコール共重合体からなる封止膜により、少なくとも前記有機半導体層が封止されたことを特徴とする有機薄膜トランジスタ。
IPC (3件)：
H01L 29/786 ,  H01L 21/312 ,  H01L 51/00
FI (4件)：
H01L 21/312 A ,  H01L 29/78 619 A ,  H01L 29/78 618 B ,  H01L 29/28
Fターム (35件)：
5F058AA04 ,  5F058AB10 ,  5F058AC10 ,  5F058AF04 ,  5F058AF10 ,  5F058AG01 ,  5F058AH03 ,  5F110AA06 ,  5F110AA14 ,  5F110AA21 ,  5F110CC03 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE07 ,  5F110EE43 ,  5F110EE44 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF21 ,  5F110GG05 ,  5F110GG24 ,  5F110GG41 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK07 ,  5F110HK32 ,  5F110HK33 ,  5F110NN01 ,  5F110NN02 ,  5F110NN27 ,  5F110NN32
引用特許：
審査官引用 (6件)
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