特許

J-GLOBAL ID：200903021313609505

副入出力線を有するデータ伝送回路

発明者： ヨン-シク セオク ,  ドン-スー ジエオン
出願人/特許権者： サムサン エレクトロニクス シーオー., エルテイーデイー
代理人 (1件)： 高月 猛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-339469
公開番号（公開出願番号）：特開平5-028767
出願日： 1991年11月29日
公開日（公表日）： 1993年02月05日
要約：

【要約】【目的】 半導体集積回路において、高集積化と高速動作の両立を実現できるデータ伝送回路を提供する。【構成】 一つ以上のビット線対に接続された副入出力線対と、副入出力線と入出力線との間にMOSトランジスタからなるプリアンプを具備して、これをチップのストラッピングエリアに設置するようにして、微弱なビット線の電位を副入出力線からプリアンプを介して増幅してから入出力線で出力するようにする。

請求項（抜粋）：

メモリーセルと、メモリーセルにデータを伝送するビット線対と、ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプと、データ入出力のための一対の入出力線とをもっており、所定の制御信号によってメモリーセルのデータの入出力が制御される半導体集積回路におけるデータ伝送回路において、一つ以上のビット線対に接続された副入出力線対と、副入出力線対と入出力線対との間に接続されて、副入出力線の電位を入出力線に又は入出力線の電位を副入出力線に、増幅して伝送するプリアンプと、を具備したことを特徴とするデータ伝送回路。

IPC (2件)：

G11C 11/409 ,  G11C 11/401

FI (2件)：

G11C 11/34 354 A ,  G11C 11/34 362 A

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開昭63-200391
  
• 特開平3-283184
  
• 特開昭58-125291
  
• 特開昭60-074197