特許
J-GLOBAL ID:200903021314045699
ハニカム構造体の製造方法及びハニカム構造体
発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
渡邉 一平
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-248689
公開番号(公開出願番号):特開2005-126317
出願日: 2004年08月27日
公開日(公表日): 2005年05月19日
要約:
【課題】ハニカム構造体の製造過程において回収される未焼成の再生原料(SiCの場合、焼成物も可)を用いて、ハニカム構造体を製造する際に、元来の出発原料を用いた場合と同程度の低熱膨張性及び気孔率を有するとともに、歩留まりの向上と大幅なコスト削減が可能であるハニカム構造体の製造方法及びハニカム構造体を提供する。【解決手段】ハニカム構造体の製造過程で発生したハニカム構造体の出発原料に由来する回収物から再生された再生原料を、出発原料の一部として用いたハニカム構造体の製造方法及びハニカム構造体である。再生原料が平均粒子径10〜2000μmであり、平均粒子径2800μm以上の粒子が10重量%以下に粉砕されている。【選択図】なし
請求項(抜粋):
ハニカム構造体の製造過程で発生したハニカム構造体の出発原料に由来する回収物から再生された再生原料を、出発原料の一部として用いたハニカム構造体の製造方法であって、該再生原料が、平均粒子径10〜2000μmであり、平均粒子径2800μm以上の粒子が10重量%以下に粉砕されているハニカム構造体の製造方法。
IPC (6件):
C04B35/00
, B01D39/00
, B01D39/20
, B01D53/86
, B01J35/04
, C04B35/622
FI (6件):
C04B35/00 V
, B01D39/00 B
, B01D39/20 D
, B01J35/04 301E
, B01D53/36 C
, C04B35/00 C
Fターム (48件):
4D019AA01
, 4D019BA05
, 4D019BB06
, 4D019BD01
, 4D019CA01
, 4D019CB04
, 4D019CB06
, 4D048BA10X
, 4D048BB02
, 4D048BB14
, 4D048BD10
, 4D048CD05
, 4D058JA32
, 4D058JB06
, 4D058SA08
, 4G030AA07
, 4G030AA36
, 4G030AA37
, 4G030BA24
, 4G030BA25
, 4G030BA32
, 4G030BA34
, 4G030CA01
, 4G030CA04
, 4G030CA09
, 4G030CA10
, 4G030GA03
, 4G030GA09
, 4G030GA11
, 4G030GA21
, 4G030GA27
, 4G030HA02
, 4G030HA05
, 4G030HA08
, 4G030HA18
, 4G069AA01
, 4G069AA10
, 4G069AA11
, 4G069BA13A
, 4G069BA13B
, 4G069CA02
, 4G069CA03
, 4G069CA07
, 4G069CA18
, 4G069DA06
, 4G069EA19
, 4G069EA27
, 4G069GA18
引用特許:
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