特許

J-GLOBAL ID：200903021314247046

静電容量型圧力センサおよびその製造方法

発明者： 島岡 敬一 ,  田畑 修 ,  山寺 秀哉
出願人/特許権者： 株式会社豊田中央研究所
代理人 (1件)： 吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-070770
公開番号（公開出願番号）：特開平9-257618
出願日： 1996年03月26日
公開日（公表日）： 1997年10月03日
要約：

【要約】【目的】 静電容量型圧力センサの零点、感度の温度依存性を小さくする。【構成】 単結晶シリコン基板30の主表面に固定電極40を形成し、この固定電極40上に圧力基準室200を設ける。そして、圧力基準室200を覆うよう被覆形成された絶縁性ダイヤフラム膜70の受圧領域に導電性膜から成る可動電極81を形成する。絶縁性ダイヤフラム膜70は熱膨張係数が前記単結晶シリコン基板30と等しくなるよう、膜中のシリコン、アルミニウム、窒素および酸素の組成が調整されており、この結果、センサの零点、感度の温度依存性が小さくなる。

請求項（抜粋）：

基板の主表面に形成された固定電極上に圧力基準室を設け、前記圧力基準室を覆うよう前記基板の主表面側に被覆形成された絶縁性ダイヤフラム膜の受圧領域に導電性膜から成る可動電極を形成した静電容量型圧力センサにおいて、前記絶縁性ダイヤフラム膜は少なくともシリコン、アルミニウム、窒素を含む絶縁性材料で構成されていることを特徴とする静電容量型圧力センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/12 ,  G01L 19/04 ,  H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/12 ,  G01L 19/04 ,  H01L 29/84 Z