特許

J-GLOBAL ID：200903021327799692

水素ガス製造機構

発明者： 的場 恒夫 ,  古石 治久
出願人/特許権者： 株式会社ハクキン
代理人 (1件)： 辻本 一義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-334980
公開番号（公開出願番号）：特開平9-176879
出願日： 1995年12月22日
公開日（公表日）： 1997年07月08日
要約：

【要約】【課題】 外部からの電気の供給が不要な自励式の水素ガス製造機構を提供しようとするもの。【解決手段】 電解質1中の正極となる金属2と負極となる金属3との間にイオンの移動が可能な形状とした導電性物質の電極4を配設すると共に、前記正極となる金属2と負極となる金属3との間に形成した回路に前記導電性物質電極4を電気的な導通状態とする。

請求項（抜粋）：

電解質中の正極となる金属と負極となる金属との間にイオンの移動が可能な形状とした導電性物質の電極を配設すると共に、前記正極となる金属と負極となる金属との間に形成した回路に前記導電性物質電極を電気的な導通状態とすることを特徴とする水素ガス製造機構。

IPC (4件)：

C25B 9/00 301 ,  C25B 1/10 ,  C25B 9/04 302 ,  C25B 11/04

FI (4件)：

C25B 9/00 301 ,  C25B 1/10 ,  C25B 9/04 302 ,  C25B 11/04