特許
J-GLOBAL ID：200903021328641383
パターン形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-296303
公開番号（公開出願番号）：特開平7-147223
出願日： 1993年11月26日
公開日（公表日）： 1995年06月06日
要約：
【要約】【目的】光リソグラフィを用いて、0.15〜0.3μmの回路寸法を有するLSIパターンを形成する。【構成】光を照明光学系を介してマスクに照射し、マスクパターンを投影レンズを介して基板上へ投影露光する露光方法において、投影レンズの瞳面に多重振幅結像フィルタ、又はこれと高周波強調フィルタの合成振幅透過率を有するフィルタ、又はこれらの近似位相フィルタを設け、照明光学系内の有効光源をほぼ輪帯状の強度分布を有するものとする。
請求項（抜粋）：
光源を発した光を照明光学系を介してマスクに照射し、上記マスク上のパターンを投影レンズを介して基板上へ投影露光することにより、上記基板上にパターンを形成する方法において、上記投影レンズの瞳面に多重振幅結像フィルタ、又は多重振幅結像フィルタと高周波強調フィルタの合成振幅透過率を有するフィルタを設け、上記照明光学系内の有効光源をほぼ輪帯状の強度分布を有するものとすることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (2件)：
前のページに戻る
