変調器集積型半導体レーザ装置及びその製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：宮田金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-085473
公開番号（公開出願番号）：特開2000-277869
出願日： 1999年03月29日
公開日（公表日）： 2000年10月06日
要約：

【要約】【課題】変調器集積型半導体レーザ装置において、変調器に印加される変調信号による電界変動の影響を少なくし、周波数特性の改善された変調器集積型半導体レーザ装置を提供することである。【解決手段】活性層16と、この活性層16よりもバンドギャップエネルギーの大きいバルク構造の光導波層32と、活性層16のバンドギャップエネルギーよりも大きく光導波層32のバンドギャップエネルギーよりも小さいバルク構造の光吸収層40とを連続した導波路(20、36、44)を形成し、この導波路(20、36、44)上または下に回折格子24を含むクラッド層22を有する構成とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板と、この半導体基板の一主面上の一部に配設されるとともに、活性層を有するリッジ状の第一の導波路と、この第一の導波路の延長方向にこの第一の導波路と連続して上記半導体基板上に配設されるとともに、上記活性層よりもバンドギャップエネルギーの大きいバルク構造の光導波層を有するリッジ状の第二の導波路と、この第二の導波路の延長方向にこの第二の導波路と連続して上記半導体基板上に配設されるとともに、上記活性層のバンドギャップエネルギーよりも大きく上記第一の半導体層のバンドギャップエネルギーよりも小さいバルク構造の光吸収層を有するリッジ状の第三の導波路と、これら第一、第二及び第三の導波路上に配設された第二導電型半導体の第一クラッド層と、この第一のクラッド層または上記半導体基板と上記第一、第二及び第三の導波路との間に配設され、上記第一の導波路に沿って配設された回折格子を含むリッジ状の第二のクラッド層と、上記第一、第二のクラッド層、上記第一、第二及び第三の導波路の両側の上記半導体基板上に配設された電流ブロック層と、上記第一のクラッド層の上に上記活性層に対向して配設された第一の電極と、この第一の電極と分離し、上記第一のクラッド層の上に上記光吸収層に対向して配設された第二の電極と、上記半導体基板の他主面上に配設された第三の電極と、を備えた変調器集積型半導体レーザ装置。

IPC (3件)：

H01S 5/50 630 , H01S 5/227 , G02F 1/025

FI (3件)：

H01S 3/18 694 , H01S 3/18 665 , G02F 1/025

Fターム (24件)：

2H079AA02 , 2H079AA13 , 2H079BA01 , 2H079CA04 , 2H079DA16 , 2H079DA22 , 2H079DA25 , 2H079EA03 , 2H079EA07 , 2H079EA08 , 2H079EB04 , 2H079HA14 , 2H079KA18 , 5F073AA22 , 5F073AA45 , 5F073AA64 , 5F073AA74 , 5F073AB21 , 5F073BA01 , 5F073CA12 , 5F073DA05 , 5F073DA14 , 5F073DA15 , 5F073EA14

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