特許
J-GLOBAL ID：200903021331414169
ECRドライエツチング装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-255178
公開番号（公開出願番号）：特開平5-094971
出願日： 1991年10月02日
公開日（公表日）： 1993年04月16日
要約：
【要約】【目的】 半導体微細加工に使用されるECRドライエッチング装置において、ダストの発生を解決し、LSI等の歩留りの向上と、チャンバーメンテナンスレスとし、生産性の向上を目的とする。【構成】 プラズマと接するプラズマ処理室1の加熱機構を設け、プラズマと接するプラズマ処理室内壁を加温コントロールすることにより、低ダストのエッチングが可能となる。
請求項（抜粋）：
反応ガスを電子サイクロトロン共鳴によりプラズマ化し、被処理基板をエッチングあるいは膜堆積するECRプラズマ処理装置において、プラズマ処理室の内壁を加熱コントロールすることを特徴とするECRドライエッチング装置。
IPC (5件)：
H01L 21/302
, C23F 4/00
, G01N 24/14
, G01R 33/64
, H05H 1/46
