特許

J-GLOBAL ID：200903021334220888

不揮発性半導体装置およびその製造方法

発明者： 竹内 信善
出願人/特許権者： 日本鋼管株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 和音
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-074938
公開番号（公開出願番号）：特開平8-274192
出願日： 1995年03月31日
公開日（公表日）： 1996年10月18日
要約：

【要約】【目的】本発明は、優れたトランジスタ特性を示す不揮発性半導体装置およびTATを短くすることができる不揮発性半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する多数のMOS型メモリトランジスタを具備し、前記ゲート電極は、不純物濃度を変化させることにより情報が記録されることを特徴としている。また、半導体基板に多数のMOS型メモリトランジスタを作製し、MOS型メモリトランジスタの前記ゲート電極に不純物をドーピングして前記ゲート電極中の不純物濃度を変化させることにより前記ゲート電極に情報を記録することを特徴としている。

請求項（抜粋）：

ソース領域およびドレイン領域が形成された半導体基板と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を介して形成されたゲート電極とを有する多数の第1導電型MOS型メモリトランジスタを具備し、前記ゲート電極の不純物濃度を変化させることにより情報が記録されることを特徴とする不揮発性半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/8246 ,  H01L 27/112 ,  H01L 29/78

FI (2件)：

H01L 27/10 433 ,  H01L 29/78 301 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-011764
  
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-309835   出願人：日本ビクター株式会社