特許

J-GLOBAL ID：200903021335132605

石英ガラス基板

発明者： 中村 哲之
出願人/特許権者： 住金石英株式会社
代理人 (1件)： 森 道雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-038245
公開番号（公開出願番号）：特開平11-228160
出願日： 1998年02月20日
公開日（公表日）： 1999年08月24日
要約：

【要約】【課題】寸法安定性、純度、熱的変形性および光学的均質性に優れた薄膜トランジスター用石英ガラス基板を提供する。【解決手段】不純物元素含有量がそれぞれ3ppb以下、Cl含有量が0.5ppm以下、OH基含有量が10〜150ppm、脈理が存在せず、歪みの最大値が20nm/cm以下であり、かつ下記?@〜?B、または?C式を満たす石英ガラス基板。|(FT0)-(FTa1)|≦100°C ・・?@、|(FTa1)-(FTa2)|≦ 50°C ・・?A、|(FT0)-(FTa2)|≦150°C ・・?B、|(FT0)-(FTb2)|≦ 50°C ・・?C。ここで、(FT0)は石英ガラスインゴットの仮想温度、(FTa1)は熱酸化処理前の仮想温度、(FTa2)および(FTb2)は熱酸化処理後の仮想温度である。

請求項（抜粋）：

予備加熱処理を施した石英ガラス基板上に多結晶シリコン膜をパターニングし、熱酸化処理を施して製造される薄膜トランジスター用の石英ガラス基板であって、不純物元素(Al、Fe、Ca、Ti、Zn、Cr、Mn、Mg、Ni、V、Cu、Co、P、W、Pb、Ta、Zr、B、Na、K、Li)の含有量がそれぞれ3ppb以下、Clの含有量が0.5ppm以下、OH基の最大含有量が10〜150ppm、脈理が認められず、歪みの最大値が20nm/cm以下であり、かつ下記?@〜?B式を満たすことを特徴とする石英ガラス基板。|(FT0)-(FTa1)| ≦100°C ・・・・?@|(FTa1)-(FTa2)|≦ 50°C ・・・・?A|(FT0)-(FTa2)| ≦150°C ・・・・?Bここで、(FT0)は石英ガラスインゴットの仮想温度、(FTa1)は予備加熱処理後の石英ガラス基板の仮想温度、(FTa2)は多結晶シリコン膜をパターニングしてから熱酸化処理を施した後の石英ガラス基板の仮想温度である。

IPC (3件)：

C03B 20/00 ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 29/786

FI (5件)：

C03B 20/00 K ,  C03B 20/00 E ,  C03B 20/00 G ,  G02F 1/1333 500 ,  H01L 29/78 626 C